屏蔽罩，屏蔽夾等屏蔽系列的產(chǎn)品主要就是對(duì)兩個(gè)空間區(qū)域之間進(jìn)行金屬的隔離，以控制電場(chǎng)、和電磁波由一個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的感應(yīng)和輻射。具體講，就是用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個(gè)系統(tǒng)的干擾源包圍起來(lái)，防止干擾電磁場(chǎng)向外擴(kuò)散；用屏蔽體將接收電路、設(shè)備或系統(tǒng)包圍起來(lái)，防止它們受到外界電磁場(chǎng)的影響。因?yàn)槠帘误w對(duì)來(lái)自導(dǎo)線(xiàn)、電纜、元部件、電路或系統(tǒng)等外部的干擾電磁波和內(nèi)部電磁波均起著吸收能量（渦流損耗）、反射能量（電磁波在屏蔽體上的界面反射）和抵消能量（電磁感應(yīng)在屏蔽層上產(chǎn)生反向電磁場(chǎng)，可抵消部分干擾電磁波）的作用，所以屏蔽體具有減弱干擾的功能。（1）當(dāng)干擾電磁場(chǎng)的頻率較高時(shí)，利用低電阻率的金屬材料中產(chǎn)生的渦流，形成對(duì)外來(lái)電磁波的抵消作用，從而達(dá)到屏蔽的效果。（2）當(dāng)干擾電磁波的頻率較低時(shí)，要采用高導(dǎo)磁率的材料，從而使磁力線(xiàn)限制在屏蔽體內(nèi)部，防止擴(kuò)散到屏蔽的空間去。（3）在某些場(chǎng)合下，如果要求對(duì)高頻和低頻電磁場(chǎng)都具有良好的屏蔽效果時(shí)，往往采用不同的金屬材料組成多層屏蔽體。
1  屏蔽蓋焊盤(pán)寬度0.7mm~1mm之間，太小不利于貼片，太大容易被外界干擾。屏蔽蓋與屏蔽蓋底部之間間隙最小要0.5mm（也要考慮支架焊盤(pán)與焊盤(pán)之間間距最小0.3mm）。
2  蓋子材料可以選用ZSNH鋅錫鎳合金(便宜)，或者洋白銅（性能好易加工），或者不銹鋼（不吃錫只能做蓋子）。支架材料選用ZSNH鋅錫鎳合金或者洋白銅，以保證好的焊接性能。但現(xiàn)在也有客戶(hù)把上下蓋都用ZSNH做了。
3  蓋子和支架四周間隙0.05mm，z向間隙0mm，距離元器件0.4mm以上
4  展平后，沖刀區(qū)寬度留0.5mm。
5  屏蔽支架重心處要預(yù)設(shè)計(jì)直徑5mm的吸盤(pán)區(qū)域。
6  屏蔽支架平面切空處距離側(cè)墻外壁要1mm以上，內(nèi)部有向下折彎的話(huà)，折彎處側(cè)墻距離外側(cè)墻0.5mm，此時(shí)平面直接貼著側(cè)墻切空 。
7  支架smt時(shí)浮錫高度0.1mm，蓋子平整度0.1mm。屏蔽罩裝配后距離上方器件或殼體間隙最小要0.2mm
8  如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，注意落差角度35~40度，太大的角度加工時(shí)沖裂 。
9  屏蔽支架的四周墻體每邊要有一到兩個(gè)直徑0.7~1mm的通孔，用于卡屏蔽蓋?？ǘ床荒芴?，否則很難拆卸可由供應(yīng)商作出，我們給出位置尺寸。
10  屏蔽蓋散熱孔直徑1mm 。
11  屏蔽蓋四周墻的最底面，距離PCB要有0.5mm的距離，防止屏蔽支架吃錫過(guò)多頂住屏蔽蓋。
12  如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，注意落差分界處側(cè)面切通，不然沒(méi)法加工。另外平面內(nèi)的落差拐角處要打直徑3mm的孔，否則會(huì)撕裂 。
13  屏蔽支架與PCB之間不是整面焊接，要采用2-1-2-1mm方式的長(zhǎng)城腳焊接，2mm接觸，1mm懸空方便爬錫。如此可以增加屏蔽蓋的帖附強(qiáng)度。
14  如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，落差處支架與蓋子面配合間隙不為0，應(yīng)該為0.1mm 。
15  1.與SHIEDING-BOX配做。2.表面平面度為0.1MM以?xún)?nèi)。3.折彎內(nèi)角R0.1MM，未注圓角為R0.1MM。4.折彎角度為90°±0.5。5.未注公差按照?qǐng)D示公差等級(jí)6.圖中帶“*”尺寸為QC管控尺寸。
16.開(kāi)模前請(qǐng)與工程師檢討。（公差尺寸：小于20mm的尺寸控制在+-0.05mm； 大于20mm的尺寸控制在+-0.1mm；頂層平面度的控制在+-0.1mm；）
17  屏蔽支架切空區(qū)內(nèi)角R0.5mm 。